9-140和IRFP9140NPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 9-140 IRFP9140NPBF IRFP9140N

描述 Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 100V, 0.117ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3INFINEON  IRFP9140NPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -23 A, -100 V, 117 mohm, -10 V, -4 VTO-247AC P-CH 100V 23A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 - TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) - - -100 V

额定电流 - - -23.0 A

极性 - P-Channel P-Channel

耗散功率 - 120 W 140W (Tc)

产品系列 - - IRFP9140N

漏源极电压(Vds) - 100 V 100 V

漏源击穿电压 - 100 V -100 V

连续漏极电流(Ids) - 23A 23.0 A

上升时间 - 67 ns 67 ns

输入电容(Ciss) - 1300pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)

下降时间 - 51 ns 51 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 140W (Tc) 140W (Tc)

额定功率 - 120 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.117 Ω -

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 1300 pF -

额定功率(Max) - 140 W -

封装 - TO-247-3 TO-247-3

长度 - 15.87 mm -

宽度 - 5.3 mm -

高度 - 20.3 mm -

材质 - - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free Contains Lead

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