对比图
型号 FDS2170N3 FDS2170N7 FDMS2672
描述 200V N沟道的PowerTrench MOSFET剖 200V N-Channel PowerTrench剖 MOSFET200V N沟道PowerTrench MOSFET的 200V N-Channel PowerTrench MOSFETUltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 Power-56-8
额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V
额定电流 3.00 A 3.00 A 3.70 A
通道数 1 - 1
漏源极电阻 128 mΩ 128 mΩ 0.064 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3 W 3W (Ta) 2.5 W
阈值电压 - - 3.1 V
输入电容 - - 2.31 nF
栅电荷 - - 42.0 nC
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 3.00 A 3.00 A 3.70 A
上升时间 5 ns 5.00 ns 11 ns
输入电容(Ciss) 1292pF @100V(Vds) 1292pF @100V(Vds) 2315pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 1.8 W 1.8 W 2.5 W
下降时间 23 ns - 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 3W (Ta) 3W (Ta) 78 W
长度 4.9 mm - 5 mm
宽度 3.9 mm - 6 mm
高度 1.75 mm - 0.75 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 Power-56-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99