对比图
型号 FQT13N06LTF FQT13N06TF
描述 ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQT13N06LTF, 2.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQT13N06TF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 60 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 3
封装 TO-261-4 TO-261-4
额定电压(DC) - 60.0 V
额定电流 - 2.80 A
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.088 Ω 0.11 Ω
极性 - N-Channel
耗散功率 2.1 W 2.1 W
阈值电压 2.5 V 4 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
漏源击穿电压 - 60.0 V
栅源击穿电压 - ±25.0 V
连续漏极电流(Ids) - 2.80 A
上升时间 90 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 270pF @25V(Vds) 310pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.1 W 2.1 W
下降时间 40 ns 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.1 W 2.1W (Tc)
长度 6.5 mm 6.5 mm
宽度 3.56 mm 3.56 mm
高度 1.6 mm 1.7 mm
封装 TO-261-4 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99