对比图
型号 IRF6616TR1PBF IRF6616TRPBF
描述 Direct-FET N-CH 40V 19AINFINEON IRF6616TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 106 A, 40 V, 0.0037 ohm, 10 V, 1.8 V 新
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 7
封装 Direct-FET Direct-FET
额定功率 89 W 89 W
通道数 - 1
针脚数 - 7
漏源极电阻 - 0.0037 Ω
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 2.8W (Ta), 89W (Tc) 89 W
阈值电压 - 1.8 V
输入电容 - 3765 pF
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 19A 19A
上升时间 - 19 ns
输入电容(Ciss) 3765pF @20V(Vds) 3765pF @20V(Vds)
下降时间 - 4.4 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃
耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
长度 - 5.45 m
封装 Direct-FET Direct-FET
材质 - Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17