NTF3055-100T1G和NVF3055-100T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTF3055-100T1G NVF3055-100T1G NTF3055L108T1G

描述 ON SEMICONDUCTOR  NTF3055-100T1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 0.088 ohm, 10 V, 3 VN 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON SemiconductorN 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V

额定电流 3.00 A - 3.00 A

针脚数 4 4 4

漏源极电阻 0.088 Ω 0.088 Ω 0.12 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 2.1 W 2.1 W 2.1 W

阈值电压 3 V 3 V 1.68 V

输入电容 455 pF - 313pF @25V

栅电荷 22.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 68 V - 68 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±15.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.00 A, 3.00 mA 3A 3.00 A

上升时间 14 ns 14 ns 35 ns

输入电容(Ciss) 455pF @25V(Vds) 455pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1.3 W 1.3 W 1.3 W

下降时间 13 ns 13 ns 27 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)

通道数 - - 1

长度 6.7 mm 6.7 mm 6.5 mm

宽度 3.7 mm 3.7 mm 3.5 mm

高度 1.65 mm 1.65 mm 1.57 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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