对比图
型号 MRF6S9125NBR1 MRFE6S9125NBR1
描述 MOSFET RF N-CH 28V 27W TO-272-4RF Power Transistor,865 to 960MHz, 125W, Typ Gain in dB is 20.2 @ 880MHz, 28V, LDMOS, SOT1735
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 晶体管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 5
封装 TO-272 TO-272
频率 880 MHz 880 MHz
额定电流 10 µA 10 µA
无卤素状态 - Halogen Free
输出功率 27 W 27 W
增益 20.2 dB 20.2 dB
测试电流 950 mA 950 mA
输入电容(Ciss) - 350pF @28V(Vds)
工作温度(Max) - 225 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
额定电压 68 V 66 V
电源电压 - 28 V
额定电压(DC) 28.0 V -
漏源极电压(Vds) 28.0 V -
封装 TO-272 TO-272
工作温度 - -65℃ ~ 225℃
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99