PHP129NQ04LT和PHP129NQ04LT,127

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PHP129NQ04LT PHP129NQ04LT,127 BUK9506-40B

描述 N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FETTO-220AB N-CH 40V 75AMOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Philips (飞利浦)

分类 晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 SOT-78 TO-220-3 -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 5 mΩ -

极性 - N-CH -

耗散功率 - 200 W -

漏源极电压(Vds) 40.0 V 40 V -

漏源击穿电压 - 40 V -

连续漏极电流(Ids) 75.0 A 75A -

上升时间 - 145 ns -

输入电容(Ciss) - 3965pF @25V(Vds) -

下降时间 - 92 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

耗散功率(Max) - 200W (Tc) -

额定电压(DC) 40.0 V - -

额定电流 75.0 A - -

输入电容 3.97 nF - -

栅电荷 44.2 nC - -

长度 - 10.3 mm -

宽度 - 4.7 mm -

高度 - 9.4 mm -

封装 SOT-78 TO-220-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 Tube Rail -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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