对比图
型号 1N6377G MPTE-015G ICTE15-E3/54
描述 1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向）Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On SemiconductorESD 抑制器/TVS 二极管 15V 1500W UnidirectionalVISHAY ICTE15-E3/54 TVS二极管, AEC-Q450, AEC-Q101 ICTE系列, 单向, 15 V, 20.6 V, DO-201, 2 引脚
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Vishay Semiconductor (威世)
分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 2 - 2
封装 DO-201AD DO-201AD DO-201AA
工作电压 - 15 V 15 V
击穿电压 17.6 V 17.6 V 17.6 V
电路数 - 1 1
针脚数 2 - 2
钳位电压 25 V 25 V 20.6 V
测试电流 1 mA - 1 mA
最大反向击穿电压 17.6 V - 17.6 V
脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1.5 kW
最小反向击穿电压 17.6 V 17.6 V 17.6 V
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃
额定电压(DC) 17.6 V - -
额定功率 1.50 kW - -
无卤素状态 Halogen Free - -
耗散功率 1500 W - -
最大反向电压（Vrrm） 15V 15V -
击穿电压 17.6 V - -
工作结温 -65℃ ~ 175℃ - -
长度 9.5 mm - 9.5 mm
封装 DO-201AD DO-201AD DO-201AA
直径 5.30 mm - -
工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Each Bulk Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 - -