对比图
型号 PD20015-E PD20015S-E PD20015C
描述 RF功率晶体管， LDMOST家庭 RF power transistor, LdmoST familyRF功率晶体管， LDMOST家庭 RF power transistor, LdmoST familyRF功率晶体管， LDMOST家庭 RF power transistor, LdmoST family
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管晶体管晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 3 3 3
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10 M-243
频率 2 GHz 2 GHz 2 GHz
额定电流 7 A - 7 A
针脚数 3 - -
耗散功率 79 W 79000 mW 93000 mW
漏源极电压(Vds) 40 V - -
漏源击穿电压 40 V - -
输出功率 15 W 15 W 15 W
增益 11 dB 11 dB 11 dB
测试电流 350 mA 350 mA 350 mA
输入电容(Ciss) 55pF @12.5V(Vds) 55pF @12.5V(Vds) 49pF @12.5V(Vds)
工作温度(Max) 165 ℃ 165 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 79000 mW 79000 mW 93000 mW
额定电压 40 V 40 V 40 V
长度 7.5 mm - -
宽度 9.4 mm - -
高度 3.5 mm 3.5 mm -
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10 M-243
工作温度 -65℃ ~ 165℃ - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - -