对比图
型号 MMBTA14LT1 PDTA144VS MMBTA14LT1G
描述 Darlington Amplifier Transistors(NPN Silicon)PNP电阻配备晶体管; R 1 = 47千瓦， R2 = 10千瓦 PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 kW, R2 = 10 kWON SEMICONDUCTOR MMBTA14LT1G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 225 mW, 300 mA, 10000 hFE
数据手册 ---
制造商 Leshan Radio (乐山无线电) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管
封装 - SPT SOT-23-3
安装方式 - - Surface Mount
引脚数 - - 3
极性 - PNP NPN
击穿电压(集电极-发射极) - 50 V 30 V
集电极最大允许电流 - 100mA 0.3A
频率 - - 125 MHz
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 300 mA
无卤素状态 - - Halogen Free
针脚数 - - 3
耗散功率 - - 225 mW
最小电流放大倍数(hFE) - - 20000 @100mA, 5V
额定功率(Max) - - 225 mW
直流电流增益(hFE) - - 20000
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
增益带宽 - - 125MHz (Min)
耗散功率(Max) - - 300 mW
封装 - SPT SOT-23-3
长度 - - 3.04 mm
宽度 - - 1.3 mm
高度 - - 1.01 mm
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 - - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - - Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99