对比图
型号 IRFB3077PBF IRFB3207PBF IRFB3207ZPBF
描述 INFINEON IRFB3077PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 210 A, 75 V, 3.3 mohm, 10 V, 4 VN沟道 75 V 300 W 180 nC 功率Mosfet 法兰安装 - TO-220ABINFINEON IRFB3207ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 75 V, 4.1 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 370 W 330 W 300 W
漏源极电阻 0.0033 Ω 0.0036 Ω 0.0041 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 370 W 300 W 300 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
输入电容 9400 pF 7600 pF 6920 pF
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V
漏源击穿电压 75 V 75 V -
连续漏极电流(Ids) 210A 170A 170A
上升时间 87 ns 120 ns 68 ns
输入电容(Ciss) 9400pF @50V(Vds) 7600pF @50V(Vds) 6920pF @50V(Vds)
下降时间 95 ns 74 ns 68 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 370W (Tc) 330W (Tc) 300000 mW
通道数 1 - -
针脚数 3 - 3
额定功率(Max) 370 W - 300 W
长度 10.67 mm 10.66 mm 10.66 mm
宽度 4.82 mm 22.86 mm 4.82 mm
高度 9.02 mm 4.82 mm 9.02 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Rail, Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -