对比图
型号 BUZ30A STP19NB20 IRF640NSTRLPBF
描述 Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能N沟道200V - 0.15ohm - 19A - TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK PowerMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.15ohm - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH⑩ MOSFETINFINEON IRF640NSTRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3
引脚数 3 - 3
额定电压(DC) 200 V 200 V -
额定电流 21.0 A 19.0 A -
漏源极电阻 - 150 mΩ 0.15 Ω
耗散功率 125000 mW 125W (Tc) 150 W
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
输入电容(Ciss) 1900pF @25V(Vds) 1000pF @25V(Vds) 1160pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc) 150W (Tc)
额定功率 125 W - 150 W
针脚数 - - 3
极性 N-Channel - N-Channel
阈值电压 - - 4 V
输入电容 - - 1160 pF
连续漏极电流(Ids) 21.0 A - 18A
上升时间 70 ns - 19 ns
额定功率(Max) 125 W - 150 W
下降时间 90 ns - 5.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
通道数 1 - -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3
长度 10 mm - 10.67 mm
宽度 4.4 mm - 9.65 mm
高度 9.25 mm - 4.83 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17