对比图
型号 NTD32N06G NTD32N06T4 FDD5690
描述 60V,32A,N沟道MOSFET32安培， 60伏， N沟道DPAK 32 Amps, 60 Volts, N−Channel DPAKFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD5690 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 60 V, 23 mohm, 10 V, 2.5 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 32.0 A 32.0 A 30.0 A
通道数 1 - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 26 mΩ 26.0 mΩ 0.023 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 93.75 W 93.8 W 3.2 W
阈值电压 2.8 V - 2.5 V
输入电容 1.72 nF - 1.11 nF
栅电荷 60.0 nC - 23.0 nC
漏源极电压(Vds) 60 V 60.0 V 60 V
漏源击穿电压 60 V 60.0 V 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 32.0 A 32.0 A 9.00 A
上升时间 84 ns 84.0 ns 9 ns
输入电容(Ciss) 1725pF @25V(Vds) - 1110pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1.5 W - 1.3 W
下降时间 93 ns - 10 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 1.5 W - 3.2W (Ta), 50W (Tc)
长度 6.73 mm - 6.73 mm
宽度 6.22 mm - 6.22 mm
高度 2.38 mm - 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tube Bulk Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99