对比图
描述 VISHAY IRFI630GPBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 4 VVISHAY IRFI640GPBF. 场效应管, MOSFET, N沟道
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.4 Ω 0.18 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 32 W 40 W
阈值电压 4 V 4 V
输入电容 - 1300pF @25V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V
漏源击穿电压 - 200 V
连续漏极电流(Ids) 5.90 A 9.80 A
输入电容(Ciss) 800pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 35 W 40 W
上升时间 28 ns -
下降时间 20 ns -
长度 - 10.63 mm
高度 9.8 mm 9.8 mm
封装 TO-220-3 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2014/12/17