对比图
型号 STP40NF12 STP55NF06 NTP52N10G
描述 N沟道120V - 0.028W - 40A TO- 220低栅电荷STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 120V - 0.028W - 40A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFETMOSFET 晶体管，STMicroelectronics60A,100V功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 120 V 60.0 V 100 V
额定电流 40.0 A 50.0 A 52.0 A
漏源极电阻 0.032 Ω 0.015 Ω 30.0 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 150 W 30 W 214W (Tc)
阈值电压 2.8 V 3 V -
漏源极电压(Vds) 120 V 60 V 100 V
漏源击穿电压 120 V 60.0 V 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 160 A 50.0 A 60.0 A
上升时间 63 ns 50 ns 95.0 ns
输入电容(Ciss) 1880pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 3150pF @25V(Vds)
下降时间 28 ns 15 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 150W (Tc) 110W (Tc) 214W (Tc)
额定功率(Max) - 110 W 214 W
额定功率 - 110 W -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.4 mm -
宽度 - 4.6 mm -
高度 - 9.15 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 - - EAR99