对比图
型号 NTB35N15T4 NTB35N15T4G NTB35N15G
描述 功率MOSFET 37安培， 150伏特N沟道增强模式D2PAK Power MOSFET 37 Amps, 150 Volts N-Channel Enhancement-Mode D2PAKN 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor37A,150V功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 150 V 150 V 150 V
额定电流 37.0 A 37.0 A 37.0 A
漏源极电阻 50.0 mΩ 0.05 Ω 50.0 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2 W 178 W 2 W
输入电容 - - 3.20 nF
栅电荷 - - 100 nC
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V
漏源击穿电压 150 V 150 V 150 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 37.0 A 37.0 A 37.0 A
上升时间 125 ns 125 ns 125 ns
输入电容(Ciss) 3200pF @25V(Vds) 3200pF @25V(Vds) 3200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 2 W 2 W
下降时间 - 120 ns 120 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2 W 2 W 2 W
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 2.9 V -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 9.65 mm -
宽度 - 10.29 mm -
高度 - 4.83 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -