BCR185S和MUN5111DW1T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR185S MUN5111DW1T1G MUN2237T1G

描述 PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital TransistorON Semiconductor ### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6 3

封装 SOT-363 SC-88-6 SOT-23-3

额定电压(DC) - -50.0 V 50.0 V

额定电流 - -100 mA 100 mA

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

极性 PNP PNP, P-Channel NPN

耗散功率 - 0.385 W 0.338 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - 35 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) - 250 mW 338 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 385 mW 338 mW

最大电流放大倍数(hFE) - 35 @5mA, 10V -

封装 SOT-363 SC-88-6 SOT-23-3

长度 - 2 mm -

宽度 - 1.25 mm -

高度 - 0.9 mm -

产品生命周期 End of Life Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

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