对比图
描述 N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17381F4TEXAS INSTRUMENTS CSD17381F4T 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.1 A, 30 V, 0.084 ohm, 8 V, 850 mV
数据手册 --
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 0.5 W 500 mW
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 3.1A -
上升时间 1.4 ns 1.4 ns
输入电容(Ciss) 195pF @15V(Vds) 150pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 500 mW -
下降时间 3.6 ns 3.6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500 mW 500 mW
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.084 Ω
阈值电压 - 850 mV
长度 1 mm 1.04 mm
宽度 0.6 mm 0.64 mm
高度 0.35 mm 0.35 mm
封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99