ATF-36163-BLKG和ATF-36163-TR1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ATF-36163-BLKG ATF-36163-TR1G ATF-36163-TR2G

描述 BROADCOM LIMITED  ATF-36163-BLKG  晶体管, 射频FET, 高线性度, 3 V, 40 mA, 180 mW, 1.5 GHz, 18 GHz, SOT-363射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Transistor GaAs High FrequencyTrans FET 3V 40mA GaAs pHEMT 6Pin SOT-363 T/R

数据手册 ---

制造商 Broadcom (博通) AVAGO Technologies (安华高科) Broadcom (博通)

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 6 6 -

封装 SOT-363 SOT-363 TSSOP-6

频率 4 GHz 4 GHz 4 GHz

额定电压(DC) 3.00 V 3.00 V -

额定电流 40 mA 40 mA 40 mA

耗散功率 180 mW 180 mW -

漏源极电压(Vds) 3 V 3.00 V -

连续漏极电流(Ids) 40.0 mA 40.0 mA -

输出功率 5 dBm 5 dBm 5 dBm

增益 15.8 dB 10 dB 15.8 dB

测试电流 15 mA 15 mA 15 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

额定电压 3 V 3 V 3 V

针脚数 6 - -

漏源击穿电压 3 V - -

栅源击穿电压 3 V - -

击穿电压(集电极-发射极) -3.50 V - -

封装 SOT-363 SOT-363 TSSOP-6

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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