IDH08S60C和IDH10S120

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDH08S60C IDH10S120 IDH04S60C

描述 INFINEON  IDH08S60C  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 2G 600V系列, 单, 600 V, 8 A, 19 nC, TO-220INFINEON  IDH10S120  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 2G 1200V系列, 单, 1.2 kV, 10 A, 36 nC, TO-2202ndGeneration的thinQ ! TM SiC肖特基二极管 2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2

正向电压 - 1.8 V 1.7 V

耗散功率 - 135 W 42 W

反向恢复时间 0 ns 10 ns -

正向电流 8 A 10 A 4 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 58 A -

正向电压(Max) 1.7V @8A 840 mV -

正向电流(Max) - 10 A -

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

工作结温(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

耗散功率(Max) - 135000 mW -

额定功率 75 W - 42 W

负载电流 8 A - 4 A

长度 - 10.2 mm -

宽度 - 4.5 mm -

高度 - 9.45 mm -

封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ 55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Each Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

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