MTB2P50E和MTB2P50ET4G

对比图

型号 MTB2P50E MTB2P50ET4G MTB2P50ET4

描述 功率MOSFET 2安培， 500伏P沟道D2PAK Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts P−Channel D2PAK-2A,-500V,P沟道功率MOSFET2A, 500V, 6ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Motorola (摩托罗拉)

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 TO-263 TO-263-3 -

漏源极电阻 - 6.00 Ω -

极性 - P-Channel -

耗散功率 - 2.5 W -

漏源极电压(Vds) - 500 V -

漏源击穿电压 - 500 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 2.00 A -

上升时间 14 ns 14 ns -

输入电容(Ciss) 845pF @25V(Vds) 1183pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 2.5 W -

下降时间 19 ns 19 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2500 mW 2500 mW -

长度 - 10.29 mm -

宽度 - 9.65 mm -

高度 - 4.83 mm -

封装 TO-263 TO-263-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -