RFP12N06RLE和RFP30N06LE

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RFP12N06RLE RFP30N06LE RFP30P05

描述 17A , 60V , 0.071 Ohm的N通道,逻辑电平UltraFET功率MOSFET 17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET30A , 60V , ESD额定, 0.047欧姆,逻辑电平N沟道功率MOSFET 30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs30A , 50V , 0.065欧姆,P沟道功率MOSFET 30A, 50V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Intersil (英特矽尔)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-220 TO-220-3 -

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 30.0 A -

漏源极电阻 - 47.0 mΩ -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 - 96 W -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

漏源击穿电压 - 60.0 V -

连续漏极电流(Ids) 18A 30.0 A -

上升时间 - 88 ns -

输入电容(Ciss) - 1350pF @25V(Vds) -

下降时间 - 40 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 96W (Tc) -

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 4.7 mm -

高度 - 16.3 mm -

封装 TO-220 TO-220-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 - Tube -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

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