对比图
型号 IXFH44N50P IXFK44N50P FDH44N50
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFH44N50P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 44 A, 500 V, 140 mohm, 10 V, 5 VN沟道 500V 44AUniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-264-3 TO-247-3
额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V
额定电流 44.0 A 44.0 A 44.0 A
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.14 Ω 140 mΩ 0.11 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 650 W 650 W 750 W
阈值电压 5 V - 3.15 V
输入电容 5.44 nF 5.44 nF 5.34 nF
栅电荷 98.0 nC 98.0 nC 90.0 nC
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 44.0 A 44.0 A 44.0 A
上升时间 29 ns 29 ns 84 ns
输入电容(Ciss) 5440pF @25V(Vds) 5440pF @25V(Vds) 5335pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 650 W 650 W 750 W
下降时间 27 ns 27 ns 79 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 658W (Tc) 658W (Tc) 750W (Tc)
通道数 1 1 -
反向恢复时间 200 ns - -
额定功率 - 500 W -
长度 16.26 mm 19.96 mm 15.87 mm
宽度 5.3 mm 5.13 mm 4.82 mm
高度 21.46 mm 26.16 mm 20.82 mm
封装 TO-247-3 TO-264-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99