对比图
型号 IPP50R140CP STF25NM50N IXFR44N50Q3
描述 CoolMOSTM功率晶体管 CoolMOSTM Power TransistorN沟道500 V， 0.11 Ω ， 22一个的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， I2PAK ， D2PAK ， TO- 247 N-channel 500 V, 0.11 Ω, 22 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3
额定电压(DC) - 550 V -
额定电流 - 22.0 A -
漏源极电阻 - 140 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 192 W 40W (Tc) 300W (Tc)
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 - 500 V -
连续漏极电流(Ids) 23.0 A 14.0 A, 22.0 A -
上升时间 14 ns 23 ns 13 ns
输入电容(Ciss) - 2565pF @25V(Vds) 4800pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 40 W -
下降时间 8 ns 22 ns 9 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 40W (Tc) 300W (Tc)
通道数 - - 1
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3
长度 - - 16.13 mm
宽度 - - 5.21 mm
高度 - - 21.34 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free