对比图
型号 IRF9952TRPBF MMDF2C02HDR2 IRF9952TR
描述 INFINEON IRF9952TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.5 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 1 VSOIC N+P 20V 3.8A/3.3ASOIC N+P 30V 3.5A/2.3A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 -
封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8
极性 N-Channel, P-Channel N+P N+P
漏源极电压(Vds) 30 V 20 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 3.5A/2.3A 3.8A/3.3A 3.5A/2.3A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 2 W 2000 mW -
输入电容(Ciss) 190pF @15V(Vds) - 190pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2 W - 2 W
额定功率 2 W - -
通道数 2 - -
针脚数 8 - -
漏源极电阻 0.08 Ω - -
耗散功率 2 W - -
阈值电压 1 V - -
输入电容 190 pF - -
漏源击穿电压 30 V - -
封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8
长度 5 mm - -
宽度 4 mm - -
高度 1.5 mm - -
产品生命周期 Active Unknown Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free - Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)