IRF7379TRPBF和STS8C5H30L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7379TRPBF STS8C5H30L SI4532CDY-T1-GE3

描述 Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8Pin SOIC T/RSTMICROELECTRONICS  STS8C5H30L  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 8 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.6 VN和P沟道30 V(D -S)的MOSFET N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.018 Ω 0.038 Ω

极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel

耗散功率 2.5 W 1.6 W 1.78 W

阈值电压 - 1.6 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 5.80 A 8.00 A, 4.20 A 6A

输入电容(Ciss) 520pF @25V(Vds) 857pF @25V(Vds) 305pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2 W 2.78 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW 2.78 W

额定电流 5.80 A 8.00 A -

通道数 - 2 -

漏源击穿电压 - 30.0 V -

栅源击穿电压 - ±16.0 V -

上升时间 - 35.0 ns -

产品系列 IRF7379 - -

长度 5 mm 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.65 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 2500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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