对比图
型号 NDF08N50ZG SIHF8N50D-E3 NDF08N50ZH
描述 ON SEMICONDUCTOR NDF08N50ZG 场效应管, MOSFET, N沟道, 7.5A, 500VVISHAY SIHF8N50D-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 500 V, 0.7 ohm, 10 V, 3 V500V,8.5A,N沟道功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 - 1 1
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 690 mΩ 0.7 Ω 850 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 31 W 33 W 35 W
阈值电压 4.5 V 3 V 3.9 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 - 500 V 500 V
上升时间 23 ns 16 ns -
输入电容(Ciss) 1095pF @25V(Vds) 527pF @100V(Vds) 1095pF @25V(Vds)
下降时间 29 ns 11 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 35W (Tc) 33 W 35W (Tc)
连续漏极电流(Ids) 4.70 A - 8.5A
额定功率(Max) 35 W - 35 W
长度 10.63 mm 10.63 mm -
宽度 4.9 mm 4.83 mm -
高度 16.12 mm 9.8 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
包装方式 Tube Bulk Tube
产品生命周期 Active - Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 EAR99 - -