MTP12P10G和RFP12P10

对比图

型号 MTP12P10G RFP12P10 MTP12P10

描述 -12A,-100V,P沟道功率MOSFET12A ， 80V和100V ， 0.300欧姆，P沟道功率MOSFET 12A, 80V and 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs功率MOSFET 12安培， 100伏P沟道TO- 220 Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts P−Channel TO−220

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Intersil (英特矽尔) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 - -

封装 TO-220-3 - TO-220

额定电压(DC) -100 V - -100 V

额定电流 -12.0 A - -12.0 A

漏源极电阻 300 mΩ - 300 mΩ

极性 P-Channel - P-Channel

耗散功率 75W (Tc) - 75.0 W

输入电容 920 pF - -

栅电荷 50.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 100 V - 100 V

漏源击穿电压 100 V - 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 12.0 A - 12.0 A

输入电容(Ciss) 920pF @25V(Vds) - -

额定功率(Max) 75 W - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 75W (Tc) - -

封装 TO-220-3 - TO-220

材质 Silicon - -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Contains Lead

ECCN代码 EAR99 - -