对比图
型号 BSS215PH6327 BSS215PL6327 FDN308P
描述 20V,-1.5A,P沟道功率MOSFET20V,-1.5A,P沟道功率MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN308P 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -20 V, 125 mohm, -4.5 V, -1 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管晶体管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3
极性 P-Channel P-CH P-Channel
耗散功率 0.5 W - 500 mW
额定电压(DC) - - -20.0 V
额定电流 - - -1.50 A
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.125 Ω
输入电容 - - 341 pF
栅电荷 - - 3.80 nC
漏源极电压(Vds) - 20 V 20 V
栅源击穿电压 - - ±12.0 V
连续漏极电流(Ids) - 1.5A -1.50 A
上升时间 - - 10 ns
输入电容(Ciss) - - 341pF @10V(Vds)
额定功率(Max) - - 460 mW
下降时间 - - 10 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 500mW (Ta)
封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3
长度 - - 2.92 mm
宽度 - - 1.4 mm
高度 - - 0.94 mm
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99