IXFK48N50和STD12NE06L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFK48N50 STD12NE06L APT56M50L

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFK48N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 500 V, 100 mohm, 10 V, 4 VN - CHANNEL 60V - 0.09ohm- 12A TO- 251 / TO- 252的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.09ohm- 12A TO-251/TO-252 STripFET POWER MOSFETTrans MOSFET N-CH 500V 56A 3Pin(3+Tab) TO-264

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-264-3 TO-252 TO-264-3

额定电压(DC) 500 V - 500 V

额定电流 48.0 A - 56.0 A

耗散功率 500 W 35.0 W 780 W

输入电容 - - 8.80 nF

栅电荷 - - 220 nC

漏源极电压(Vds) 500 V 60 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 48.0 A 12.0 A 56.0 A

上升时间 60 ns - 45 ns

输入电容(Ciss) 8400pF @25V(Vds) - 8800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 500 W - 780 W

下降时间 30 ns - 33 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 500W (Tc) - 780W (Tc)

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.1 Ω 90.0 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

阈值电压 4 V - -

漏源击穿电压 - 60.0 V -

长度 19.96 mm - 26.49 mm

宽度 5.13 mm - 20.5 mm

高度 26.16 mm - 5.21 mm

封装 TO-264-3 TO-252 TO-264-3

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

香港进出口证 NLR - -

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