对比图
型号 IXFN48N50 IXFN48N50U3 STE53NC50
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFN48N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 500 V, 100 mohm, 10 V, 4 VSOT-227B N-CH 500V 48ASTMICROELECTRONICS STE53NC50 晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 500 V, 80 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw Chassis Surface Mount
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 ISOTOP-4
引脚数 4 - 4
通道数 - 1 1
漏源极电阻 0.1 Ω 100 mΩ 0.08 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 520 W 520 W 460 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 - 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 48.0 A 48A 53.0 A
上升时间 60.0 ns 60 ns 70 ns
输入电容(Ciss) 8400pF @25V(Vds) 8400pF @25V(Vds) 11200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 520 W 520 W 460 W
下降时间 - 30 ns 38 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - 40 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 520W (Tc) 520W (Tc) 460W (Tc)
额定电压(DC) 500 V - 500 V
额定电流 48.0 A - 53.0 A
额定功率 520 W - 460 W
针脚数 3 - 4
阈值电压 4 V - 3 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
隔离电压 - - 2.50 kV
长度 - 38.2 mm 38.2 mm
宽度 - 25.07 mm 25.5 mm
高度 - 9.6 mm 9.1 mm
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 ISOTOP-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99
HTS代码 8541290095 - -