FMMT558QTA和ZTX558STZ

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FMMT558QTA ZTX558STZ BF488

描述 Bipolar Transistors - BJT 400V PNP High Volt 0.5W(1/2W) -150mAPNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTORPNP型高压晶体管 PNP high-voltage transistor

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 E-Line-3 SPT

频率 50 MHz 50 MHz -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 500 mW 1 W -

增益频宽积 50 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 350 V

集电极最大允许电流 0.15A 0.2A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @50mA, 10V 100 @50mA, 10V -

额定功率(Max) 500 mW 1 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 500 mW 1000 mW -

额定电压(DC) - -400 V -

额定电流 - -200 mA -

封装 SOT-23-3 E-Line-3 SPT

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Box -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - -

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