对比图
型号 FMMT558QTA ZTX558STZ BF488
描述 Bipolar Transistors - BJT 400V PNP High Volt 0.5W(1/2W) -150mAPNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTORPNP型高压晶体管 PNP high-voltage transistor
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Through Hole -
引脚数 3 3 -
封装 SOT-23-3 E-Line-3 SPT
频率 50 MHz 50 MHz -
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 500 mW 1 W -
增益频宽积 50 MHz - -
击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 350 V
集电极最大允许电流 0.15A 0.2A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 100 @50mA, 10V 100 @50mA, 10V -
额定功率(Max) 500 mW 1 W -
工作温度(Max) 150 ℃ 200 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 500 mW 1000 mW -
额定电压(DC) - -400 V -
额定电流 - -200 mA -
封装 SOT-23-3 E-Line-3 SPT
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Box -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 EAR99 - -