ZTX558STZ参数规格_中文资料_数据手册PDF

ZTX558STZ概述

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor PNP 400V 200mA 50MHz 1W Through Hole E-Line TO-92 compatible

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PNP 400V 200mA

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ZTX558STZ中文资料参数规格

技术参数

频率 50 MHz

额定电压DC -400 V

额定电流 -200 mA

极性 PNP

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 100 @50mA, 10V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 E-Line-3

外形尺寸

封装 E-Line-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

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型号： ZTX558STZ

描述：PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

替代型号ZTX558STZ