MJE15032和MJE15032G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJE15032 MJE15032G

描述 8.0安培功率晶体管互补硅250伏, 50瓦 8.0 AMPERES POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 250 VOLTS, 50 WATTSON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 250 V 250 V

额定电流 8.00 A 8.00 A

耗散功率 50 W 50 W

击穿电压(集电极-发射极) 250 V 250 V

最小电流放大倍数(hFE) 10 @2A, 5V 10 @2A, 5V

额定功率(Max) 2 W 2 W

直流电流增益(hFE) 50 70

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW

频率 - 30 MHz

针脚数 - 3

极性 - NPN

热阻 - 2.5℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 - 8A

长度 10.28 mm 10.28 mm

宽度 4.82 mm 4.83 mm

高度 9.28 mm 9.28 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

材质 Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2014/12/17 2016/06/20

REACH SVHC标准 - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99

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