HUF76629D3S和RFD16N05

对比图

型号 HUF76629D3S RFD16N05 NTE2380

描述 20A ， 100V ， 0.054 Ohm的N通道，逻辑电平UltraFET功率MOSFET 20A, 100V, 0.054 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET16A ， 50V ， 0.047欧姆，逻辑电平， N沟道功率MOSFET 16A, 50V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETsTO-220 N-CH 500V 2.5A

数据手册 ---

制造商 Intersil (英特矽尔) Fairchild (飞兆/仙童) NTE Electronics

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 - TO-251-3 TO-220

引脚数 - - 3

额定电压(DC) - 50.0 V -

额定电流 - 16.0 A -

漏源极电阻 - 47.0 mΩ 3 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 72W (Tc) 40 W

漏源极电压(Vds) - 50 V 500 V

漏源击穿电压 - 50.0 V 500 V

连续漏极电流(Ids) - 16.0 A 2.50 A

输入电容(Ciss) - 900pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 72 W -

耗散功率(Max) - 72W (Tc) -

阈值电压 - - 4 V

工作温度(Max) - - 150 ℃

封装 - TO-251-3 TO-220

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

HTS代码 - - 85412900951