KSH44H11ITU和MJD44H11-001G

对比图

型号 KSH44H11ITU MJD44H11-001G MJD44H11-001

描述 NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor互补功率晶体管 Complementary Power Transistors互补功率晶体管 Complementary Power Transistors

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-251-3 TO-251 TO-251-3

额定电压(DC) 80.0 V - 80.0 V

额定电流 8.00 A - 8.00 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 20 W 20 W -

增益频宽积 50 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 8A 8A 8A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @4A, 1V - 40 @4A, 1V

额定功率(Max) 1.75 W - 1.75 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW -

频率 - 85 MHz -

长度 6.6 mm - -

宽度 2.3 mm - -

高度 6.1 mm - -

封装 TO-251-3 TO-251 TO-251-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube Rail Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - Contains Lead

ECCN代码 EAR99 - -