对比图
型号 JAN2N1613L JANTX2N1613 2N1613
描述 NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORNPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORNPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-5 TO-205 TO-39
极性 NPN NPN -
耗散功率 - 0.8 W 0.8 W
击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V -
集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -
最小电流放大倍数(hFE) - 40 @150mA, 10V -
额定功率(Max) - 800 mW -
工作温度(Max) - 200 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 800 mW 800 mW
封装 TO-5 TO-205 TO-39
材质 - Silicon Silicon
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Bulk Bag
RoHS标准 - Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 - -