JAN2N1613L和JANTX2N1613

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N1613L JANTX2N1613 2N1613

描述 NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORNPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORNPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-5 TO-205 TO-39

极性 NPN NPN -

耗散功率 - 0.8 W 0.8 W

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V -

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @150mA, 10V -

额定功率(Max) - 800 mW -

工作温度(Max) - 200 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 800 mW 800 mW

封装 TO-5 TO-205 TO-39

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk Bag

RoHS标准 - Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - -

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