FDC637BNZ和SI3460DDV-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDC637BNZ SI3460DDV-T1-GE3 SI3460BDV-T1-GE3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC637BNZ  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 20 V, 0.021 ohm, 4.5 V, 800 mVN 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay SemiconductorTSOP-6 N-CH 20V 6.7A 27mΩ

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 TSOT-23-6 TSOP-6 TSOP-6

针脚数 6 6 -

漏源极电阻 0.021 Ω 0.023 Ω 27 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 1.6 W 1.7 W 2 W

阈值电压 800 mV 400 mV -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 6.2A 7.9A 6.7A

输入电容(Ciss) 895pF @10V(Vds) 666pF @10V(Vds) 860pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 800 mW 2.7 W -

下降时间 6 ns 8 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.6W (Ta) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) 2000 mW

上升时间 6 ns - -

长度 3 mm 3.1 mm -

宽度 1.7 mm 1.7 mm -

高度 1 mm 1 mm -

封装 TSOT-23-6 TSOP-6 TSOP-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 3000 3000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

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