对比图
型号 IRF2907ZSPBF STB160N75F3 PHB160NQ08T,118
描述 N沟道 75V 160AN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsD2PAK N-CH 75V 75A
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 300 W 330 W 300 W
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 60.0 A 75A
上升时间 - 65 ns 56 ns
输入电容(Ciss) 7500pF @25V(Vds) 6750pF @25V(Vds) 5585pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 330 W 300 W
下降时间 - 15 ns 48 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 330W (Tc) 300W (Tc)
通道数 1 - -
漏源极电阻 4.5 mΩ - -
产品系列 IRF2907ZS - -
长度 - 10.75 mm -
宽度 - 10.4 mm -
高度 - 4.6 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -