对比图
型号 2SK3155-E FQPF16N15 2SK3209
描述 硅N沟道MOS FET高速电源开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power SwitchingQFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。硅N沟道MOS FET高速电源开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
数据手册 ---
制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Fairchild (飞兆/仙童) Renesas Electronics (瑞萨电子)
分类 MOS管MOS管
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220
安装方式 - Through Hole -
引脚数 - 3 -
极性 N-CH N-CH N-CH
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V
连续漏极电流(Ids) 15A 11.6 A 25A
额定电压(DC) - 150 V -
额定电流 - 16.4 A -
耗散功率 - 53 W -
上升时间 - 115 ns -
输入电容(Ciss) - 910pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) - 53 W -
下降时间 - 80 ns -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 53W (Tc) -
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220
长度 - 10.16 mm -
宽度 - 4.7 mm -
高度 - 9.19 mm -
产品生命周期 Active Active Not Recommended
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free Lead Free -
香港进出口证 NLR - -
ECCN代码 - EAR99 -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -