MT29F1G08ABAEAH4:E和MT29F1G08ABAEAH4:E TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT29F1G08ABAEAH4:E MT29F1G08ABAEAH4:E TR

描述 NAND闪存 MT29F1G08ABAEAH4:E VFBGA-63Ic Flash 1gbit 20ns 63vfbga

数据手册 --

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 63

封装 VFBGA-63 VFBGA-63

位数 - 8

工作温度(Max) - 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

工作电压 3.30 V -

内存容量 125000000 B -

封装 VFBGA-63 VFBGA-63

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台