J108,126和PMBFJ108,215

对比图

型号 J108,126 PMBFJ108,215

描述 Trans JFET N-CH 25V 80mA Si 3Pin SPT AmmoNXP  PMBFJ108,215  晶体管, JFET, JFET, -25 V, 80 mA, -3 V, SOT-23

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 JFET晶体管JFET晶体管

安装方式 Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-226-3 SOT-23-3

击穿电压 - -25.0 V

漏源极电阻 8 Ω 8 Ω

极性 - N-Channel

耗散功率 400 mW 250 mW

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V

漏源击穿电压 25 V 25 V

栅源击穿电压 25 V 25 V

击穿电压 25 V 25 V

输入电容(Ciss) 30pF @0V(Vds) 30pF @10V(Vgs)

额定功率(Max) 400 mW 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 400 mW 250 mW

长度 - 3 mm

宽度 - 1.4 mm

高度 - 1 mm

封装 TO-226-3 SOT-23-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon -

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99