MJD148T4和MJD148T4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD148T4 MJD148T4G NJVMJD148T4G

描述 NPN硅功率晶体管 NPN Silicon Power TransistorNPN硅功率晶体管 NPN Silicon Power TransistorDPAK NPN 45V 4A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - 3 3

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 4A 4A 4A

频率 - 3 MHz 3 MHz

耗散功率 - 1.75 W 1.75 W

最小电流放大倍数(hFE) - 85 @500mA, 1V 85 @500mA, 1V

额定功率(Max) - 1.75 W 1.75 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 1750 mW 1750 mW

额定电压(DC) - 45.0 V -

额定电流 - 4.00 A -

增益频宽积 - 3 MHz -

直流电流增益(hFE) - 85 -

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.38 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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