IRFB3207和STP160N75F3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFB3207 STP160N75F3 PHP75NQ08T,127

描述 Trans MOSFET N-CH 75V 180A 3Pin (3+Tab) TO-220ABSTMICROELECTRONICS  STP160N75F3  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 75 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 75V 75A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)

分类 N沟道MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 - TO-220-3 TO-220-3

耗散功率 - 330 W 157 W

漏源极电压(Vds) 75.0 V 75 V 75 V

上升时间 120 ns 65 ns 36 ns

输入电容(Ciss) - 6750pF @25V(Vds) 1985pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 330 W 157 W

下降时间 - 15 ns 26 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 330W (Tc) 157W (Tc)

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 3.5 mΩ -

极性 - N-Channel -

阈值电压 - 4 V -

连续漏极电流(Ids) 180 A 60.0 A -

额定电压(DC) 75.0 V - -

额定电流 180 A - -

产品系列 IRFB3207 - -

封装 - TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 15.75 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Bulk Tube Rail, Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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