对比图
型号 BUZ81 IRFBE30 BUK456-800A
描述 SIPMOS大功率晶体管（N沟道增强型雪崩额定） SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB功率MOS晶体管 PowerMOS transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix NXP (恩智浦)
分类 MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole -
封装 TO-220 TO-220-3 -
极性 N-CH - -
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V -
连续漏极电流(Ids) 4A - -
通道数 - 1 -
耗散功率 - 125W (Tc) -
输入电容(Ciss) - 1300pF @25V(Vds) -
耗散功率(Max) - 125W (Tc) -
封装 TO-220 TO-220-3 -
产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown
包装方式 - Tube -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
RoHS标准 - Non-Compliant -
含铅标准 - Contains Lead -