对比图
型号 BSS123LT1G FDN359BN BSS123
描述 N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDN359BN, 2.7 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) 100 V - 100 V
额定电流 170 mA - 170 mA
额定功率 0.225 W - 250 mW
无卤素状态 Halogen Free - -
通道数 1 - 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 6 Ω 0.026 Ω 1.2 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 225 mW 0.5 W 360 mW
阈值电压 800 mV 1.8 V 1.7 V
输入电容 20pF @25V - 73.0 pF
漏源极电压(Vds) 100 V 30 V 100 V
漏源击穿电压 100 V - 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 170 mA - 170 mA
正向电压(Max) 1.3 V - -
输入电容(Ciss) 20pF @25V(Vds) 650pF @15V(Vds) 73pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 225 mW 460 mW 360 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 225mW (Ta) 500 mW 0.36 W
上升时间 - 5 ns 9 ns
下降时间 - 2 ns 2.4 ns
栅电荷 - - 2.50 nC
长度 2.9 mm 2.92 mm 2.92 mm
宽度 1.3 mm 1.4 mm 1.3 mm
高度 0.94 mm 0.94 mm 0.93 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99