SDP10S30和SDT10S30

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SDP10S30 SDT10S30

描述 碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky Diode碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky Diode

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 2

封装 TO-220-3 TO-220-2

额定电压(DC) 300 V 300 V

额定电流 10.0 A 10.0 A

正向电压 1.7V @10A 1.7V @10A

反向恢复时间 0 ns 0 ns

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 36 A

正向电压(Max) 1.7V @10A 1.7V @10A

正向电流(Max) - 10 A

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 65 W 65000 mW

输出电流 ≤10.0 A -

极性 Standard -

耗散功率 65 W -

热阻 2.3℃/W (RθJC) -

封装 TO-220-3 TO-220-2

长度 10 mm -

宽度 4.4 mm -

高度 9.25 mm -

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台