对比图
型号 FDD3682_F085 NVD6415ANLT4G FDD3682
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N沟道功率MOSFET的100 V， 23 A， 56米？逻辑电平 N-Channel Power MOSFET 100 V, 23 A, 56 m Logic LevelFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD3682 晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 100 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 3 - 3
上升时间 46 ns 91 ns 46 ns
下降时间 26 ns 71 ns 26 ns
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 32.0 A
通道数 1 - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 36 mΩ - 0.032 Ω
极性 N-CH - N-Channel
耗散功率 95 W - 95 W
阈值电压 - - 4 V
输入电容 - - 1.25 nF
栅电荷 - - 18.5 nC
漏源极电压(Vds) 100 V - 100 V
漏源击穿电压 100 V - 100 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 5.5A - 32.0 A
输入电容(Ciss) 1250pF @25V(Vds) - 1250pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 95 W - 95 W
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 95W (Tc) - 95 W
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 6.73 mm - 6.73 mm
宽度 6.22 mm - 6.22 mm
高度 2.39 mm - 2.39 mm
产品生命周期 Active Unknown Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 EAR99 - EAR99