JAN2N3867S和JANS2N3867

对比图

型号 JAN2N3867S JANS2N3867 2N3867

描述 硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power TransistorsPNP硅低功率晶体管 PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-205 TO-5 TO-5

引脚数 - 3 3

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @1.5A, 2V 40 @1.5A, 2V -

额定功率(Max) 1 W 1 W -

耗散功率 - 1 W -

工作温度(Max) - 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 1000 mW 1000 mW

封装 TO-205 TO-5 TO-5

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tray Bag

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead -