JANTX2N5115和JANTXV2N5116

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N5115 JANTXV2N5116 PMBFJ174,215

描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 1Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-18Trans JFET P-CHNXP  PMBFJ174,215  晶体管, JFET, JFET, 30 V, 20 mA, 135 mA, 10 V, SOT-23, JFET

数据手册 ---

制造商 Solitron Devices Solitron Devices NXP (恩智浦)

分类 JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-206 - SOT-23-3

封装 TO-206 - SOT-23-3

长度 - - 3 mm

宽度 - - 1.4 mm

高度 - - 1 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

击穿电压 - - 30.0 V

漏源极电阻 - - 85 Ω

极性 - - P-Channel

耗散功率 - - 300 mW

漏源极电压(Vds) - - 30 V

漏源击穿电压 - - 30 V

栅源击穿电压 - - 30 V

击穿电压 - - 30 V

输入电容(Ciss) - - 8pF @10V(Vgs)

额定功率(Max) - - 300 mW

工作温度(Max) - 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - - 300 mW

工作温度 - - 150℃ (TJ)

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